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    氮化硼基导电陶瓷材料弯曲强度

    文章出处: 天元新材    责任编辑: 天元化工新材厂家    发布时间:2020-07-10 17:24:24    点击数:76    【
    [导读]: 不同配方的氮化硼基导电陶瓷材料弯曲强度随热压烧结温度变化曲线。

     氮化硼基导电陶瓷材料弯曲强度

    不同配方的氮化硼基导电陶瓷材料弯曲强度随热压烧结温度变化曲线。可知,烧结后样品的弯曲强度随热压烧结温度的升高呈现先增加后下降的趋势,这与烧结样品的体积密度曲线趋势相吻合。可发现,不同配比的氮化硼基导电陶瓷材料的弯曲强度均随烧结温度先升高后下降。

    随着工业的的发展,电子印刷电路板已成为一种不可或缺的电子部件。自20世纪90年代以来,世界各国已逐渐将印刷电路板改称为电子基板,标志着传统的印刷电路板已进入了多层基板时代。电路基板,按电路基板所采用的材料,可分为无机基板材料、有机基板材料以及复合基板材料三大类(59,传统无机基板以Al0,SiC、BeO和AIN等为基材,由于这些材料在热导率、抗弯强度以及热膨胀系数等方面具有良好的性能,广泛应用于MCM电路基板行业67,目前,国内外开发的集成电路基板用材料主要采用的是低温烧结基板材料,大致可分为两类,一类是微晶玻璃系,另一类是玻璃加陶瓷系6六方氨化硼(h-BN)具有与石墨相类似的晶体结构,具有优良的热震稳定性和耐高温性 TiB,属于六方晶系结构,并且是准金属化合物,同时TiB,具有类似于石墨的硼原子层状结构,因而TiB,具有良好的导电性,高的硬度和脆性110。利用热压烧结方法将h-BN和TiB,结合起来,可赋予材料更加优异的性能,更适合应用于电路基板导电材料.

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