六方氮化硼基复合陶瓷的烧结

六方氮化硼特殊的晶体结构使其具有较低的介电系数，低介电损耗，升华温度约3000℃（在氮气或惰性气体气氛下），良好的的耐热冲击性和机械加工性能。但其低强度以及难烧结性能限制了六方氮化硼材料的应用。由于 B-N 键的强共价键具有相当低的自扩散系数，即使在高温（＞2000℃）下烧结或在压力辅助下也难以获得致密材料。常在 h-BN 中引入烧结助剂或增强相（Al2O3，ZrO2，CaO，Sialon，Si3N4，AlN，SiC，YAG，Y2SiO5，莫来石等），以提高 h-BN 的烧结性能。主要的烧结方式有无压烧结、热压烧结（HPS）、等静压烧结（IPS）、放电等离子烧结（SPS）等。