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    六方氮化硼石墨烯平面异质结构

    文章出处: 天元新材    责任编辑: 氮化硼厂家    发布时间:2021-01-04 11:02:28    点击数:13   【
    [导读]: 氮化硼生产厂家的小编今天给大家介绍一下关于六方氮化硼石墨烯平面异质结构相关介绍,石墨烯和氮化硼具有相似的结构,但电性能差异很大。氮化硼是一种白色,疏松,柔软,光滑的粉末。而石墨烯自...
    氮化硼生产厂家的小编今天给大家介绍一下关于六方氮化硼石墨烯平面异质结构相关介绍,石墨烯和氮化硼具有相似的结构,但电性能差异很大。氮化硼是一种白色,疏松,柔软,光滑的粉末。而石墨烯自十多年前发明以来,石墨烯就吸引了科学家。他是仅仅只有一个原子厚度的碳元素材料,具有出色的电子性能,强度,超轻的重量以及越来越广泛的用途。石墨烯是极好的导体,六水合硼是很好的绝缘体,可阻止电子流动。将它们放在一起,将获得高质量的半导体。

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所,石墨烯/六方氮化硼异质结构平面研究取得了进展,研究团队的研究员谢晓明以化学气相沉积(CVD)法成功研制成功单原子层质量的石墨烯/六方氮化硼异质结构平面及其在WSe2/MoS2二维光电探测器中的成功应用。

    六方氮化硼石墨烯平面异质结构

    石墨烯和六方氮化硼(H-BN)具有相似的结构,但电特性不同。石墨烯/六水硼化硼平面异质结由于其在基础研究和器件探索中的潜力而备受关注。石墨烯/H-BN平面异质结通常通过依次沉积石墨烯和H-BN或以相反顺序制备。由于后续膜的成核控制困难并且反应气体在生长过程中容易破坏先前的膜,因此石墨烯/H-BN平面异质结的质量在当前文献中并不令人满意。上海微系统信息功能材料国家重点实验室的卢光远和吴天如等人,通过先沉积H-BN单晶,然后生长石墨烯,成功制备了高质量的石墨烯/H-BN平面异质结,基于高质量H-BN衬底和石墨烯薄膜的研究基础。由于石墨烯在铜-镍合金上的生长速度极快,因此较短的石墨烯沉积时间减少了石墨烯膜生长过程中对H-BN膜的损害。同时,由于Cu/Ni合金的优异催化能力,消除了石墨烯的无规成核,同时提高了氮化硼单晶的晶体质量,因此石墨烯的晶畴仅在三角形H的顶角成核。-BN单晶域并沿h-BN边缘取向生长。小组和团队合作,例如美国莱斯大学的JunLou教授使用合作培训博士课程,在高质量的石墨烯/h-BN异质结平面中,以石墨烯为接触电极,以h-BN作为绝缘衬底,制备了WSe2/MoS2二维光电探测器的研制,验证了石墨烯/h-BN异质结平面的质量和电性能,基于异质结材料平台进行了基础研究和二维逻辑集成电路的应用提供了基础。
    这项工作得到了科技部的一项重大项目“晶圆级石墨烯电子材料和器件的研究”以及中国科学院和上海市科学技术委员会的相关研究项目的支持。
    氮化硼生产厂家的小编就给你介绍到这里了,有疑问的可以电话咨询我们!
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